Modellnummer: SDINFDO4-256G
Commercial UFS
- 256GB
Capacity
Robuster, zuverlässiger und schneller Edge-Speicher – bereit für 5G
5G-Netze ermöglichen ultraschnelle Übertragungsraten, niedrige Latenz und hohe Bandbreiten – das revolutioniert nicht nur Smartphones, sondern auch Milliarden von vernetzten Geräten des Internets der Dinge (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 und EU311 sind unsere fortschrittlichsten Universal Flash Storage (UFS)-Lösungen auf Basis der aktuellen 3D-NAND-Technologie.
- iNAND MC EU551-Speicher ermöglichen die Entwicklung führender Technologien und Produkte mit UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD für Mobilgeräte.
- Der iNAND MC EU511 vereint überragende Geschwindigkeit bei sequenziellem Schreiben mit der Leistungsstärke von iNAND SmartSLC Gen 6 – ideal für 5G-Geräte.
- iNAND MC EU311-Speicher bieten herausragende Lese- und Schreibgeschwindigkeit mit SmartSLC und UFS 2.1.
Diese Produkte ermöglichen ein erstklassiges Benutzererlebnis bei besonders leistungsstarken Mobilgeräten und Tablets mit datenintensiven Funktionen.
Robuster, zuverlässiger und schneller Edge-Speicher – bereit für 5G
5G-Netze ermöglichen ultraschnelle Übertragungsraten, niedrige Latenz und hohe Bandbreiten – das revolutioniert nicht nur Smartphones, sondern auch Milliarden von vernetzten Geräten des Internets der Dinge (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 und EU311 sind unsere fortschrittlichsten Universal Flash Storage (UFS)-Lösungen auf Basis der aktuellen 3D-NAND-Technologie.
- iNAND MC EU551-Speicher ermöglichen die Entwicklung führender Technologien und Produkte mit UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD für Mobilgeräte.
- Der iNAND MC EU511 vereint überragende Geschwindigkeit bei sequenziellem Schreiben mit der Leistungsstärke von iNAND SmartSLC Gen 6 – ideal für 5G-Geräte.
- iNAND MC EU311-Speicher bieten herausragende Lese- und Schreibgeschwindigkeit mit SmartSLC und UFS 2.1.
Diese Produkte ermöglichen ein erstklassiges Benutzererlebnis bei besonders leistungsstarken Mobilgeräten und Tablets mit datenintensiven Funktionen.
Robuster, zuverlässiger und schneller Edge-Speicher – bereit für 5G
5G-Netze ermöglichen ultraschnelle Übertragungsraten, niedrige Latenz und hohe Bandbreiten – das revolutioniert nicht nur Smartphones, sondern auch Milliarden von vernetzten Geräten des Internets der Dinge (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 und EU311 sind unsere fortschrittlichsten Universal Flash Storage (UFS)-Lösungen auf Basis der aktuellen 3D-NAND-Technologie.
- iNAND MC EU551-Speicher ermöglichen die Entwicklung führender Technologien und Produkte mit UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD für Mobilgeräte.
- Der iNAND MC EU511 vereint überragende Geschwindigkeit bei sequenziellem Schreiben mit der Leistungsstärke von iNAND SmartSLC Gen 6 – ideal für 5G-Geräte.
- iNAND MC EU311-Speicher bieten herausragende Lese- und Schreibgeschwindigkeit mit SmartSLC und UFS 2.1.
Diese Produkte ermöglichen ein erstklassiges Benutzererlebnis bei besonders leistungsstarken Mobilgeräten und Tablets mit datenintensiven Funktionen.
Robuster, zuverlässiger und schneller Edge-Speicher – bereit für 5G
5G-Netze ermöglichen ultraschnelle Übertragungsraten, niedrige Latenz und hohe Bandbreiten – das revolutioniert nicht nur Smartphones, sondern auch Milliarden von vernetzten Geräten des Internets der Dinge (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 und EU311 sind unsere fortschrittlichsten Universal Flash Storage (UFS)-Lösungen auf Basis der aktuellen 3D-NAND-Technologie.
- iNAND MC EU551-Speicher ermöglichen die Entwicklung führender Technologien und Produkte mit UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD für Mobilgeräte.
- Der iNAND MC EU511 vereint überragende Geschwindigkeit bei sequenziellem Schreiben mit der Leistungsstärke von iNAND SmartSLC Gen 6 – ideal für 5G-Geräte.
- iNAND MC EU311-Speicher bieten herausragende Lese- und Schreibgeschwindigkeit mit SmartSLC und UFS 2.1.
Diese Produkte ermöglichen ein erstklassiges Benutzererlebnis bei besonders leistungsstarken Mobilgeräten und Tablets mit datenintensiven Funktionen.
Robuster, zuverlässiger und schneller Edge-Speicher – bereit für 5G
5G-Netze ermöglichen ultraschnelle Übertragungsraten, niedrige Latenz und hohe Bandbreiten – das revolutioniert nicht nur Smartphones, sondern auch Milliarden von vernetzten Geräten des Internets der Dinge (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 und EU311 sind unsere fortschrittlichsten Universal Flash Storage (UFS)-Lösungen auf Basis der aktuellen 3D-NAND-Technologie.
- iNAND MC EU551-Speicher ermöglichen die Entwicklung führender Technologien und Produkte mit UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD für Mobilgeräte.
- Der iNAND MC EU511 vereint überragende Geschwindigkeit bei sequenziellem Schreiben mit der Leistungsstärke von iNAND SmartSLC Gen 6 – ideal für 5G-Geräte.
- iNAND MC EU311-Speicher bieten herausragende Lese- und Schreibgeschwindigkeit mit SmartSLC und UFS 2.1.
Diese Produkte ermöglichen ein erstklassiges Benutzererlebnis bei besonders leistungsstarken Mobilgeräten und Tablets mit datenintensiven Funktionen.
Robuster, zuverlässiger und schneller Edge-Speicher – bereit für 5G
5G-Netze ermöglichen ultraschnelle Übertragungsraten, niedrige Latenz und hohe Bandbreiten – das revolutioniert nicht nur Smartphones, sondern auch Milliarden von vernetzten Geräten des Internets der Dinge (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 und EU311 sind unsere fortschrittlichsten Universal Flash Storage (UFS)-Lösungen auf Basis der aktuellen 3D-NAND-Technologie.
- iNAND MC EU551-Speicher ermöglichen die Entwicklung führender Technologien und Produkte mit UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD für Mobilgeräte.
- Der iNAND MC EU511 vereint überragende Geschwindigkeit bei sequenziellem Schreiben mit der Leistungsstärke von iNAND SmartSLC Gen 6 – ideal für 5G-Geräte.
- iNAND MC EU311-Speicher bieten herausragende Lese- und Schreibgeschwindigkeit mit SmartSLC und UFS 2.1.
Diese Produkte ermöglichen ein erstklassiges Benutzererlebnis bei besonders leistungsstarken Mobilgeräten und Tablets mit datenintensiven Funktionen.
Highlights
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
● iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
● Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Anwendungen und Workloads
● 5G- und High-End-Smartphones
● Datenintensive Smartphones
● Tablets
● Chromebooks
● Augmented Reality
● Virtual Reality
● Künstliche Intelligenz
● 4K Video
● Mehrere hochauflösende Kameras
Highlights
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
● iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
● Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Anwendungen und Workloads
● 5G- und High-End-Smartphones
● Datenintensive Smartphones
● Tablets
● Chromebooks
● Augmented Reality
● Virtual Reality
● Künstliche Intelligenz
● 4K Video
● Mehrere hochauflösende Kameras
Highlights
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
● iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
● Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Anwendungen und Workloads
● 5G- und High-End-Smartphones
● Datenintensive Smartphones
● Tablets
● Chromebooks
● Augmented Reality
● Virtual Reality
● Künstliche Intelligenz
● 4K Video
● Mehrere hochauflösende Kameras
Highlights
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
● iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
● Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Anwendungen und Workloads
● 5G- und High-End-Smartphones
● Datenintensive Smartphones
● Tablets
● Chromebooks
● Augmented Reality
● Virtual Reality
● Künstliche Intelligenz
● 4K Video
● Mehrere hochauflösende Kameras
Highlights
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
● iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
● Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Anwendungen und Workloads
● 5G- und High-End-Smartphones
● Datenintensive Smartphones
● Tablets
● Chromebooks
● Augmented Reality
● Virtual Reality
● Künstliche Intelligenz
● 4K Video
● Mehrere hochauflösende Kameras
Highlights
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
● iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
● Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Anwendungen und Workloads
● 5G- und High-End-Smartphones
● Datenintensive Smartphones
● Tablets
● Chromebooks
● Augmented Reality
● Virtual Reality
● Künstliche Intelligenz
● 4K Video
● Mehrere hochauflösende Kameras
Technische Daten
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
- iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
- Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Technische Daten
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
- iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
- Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Technische Daten
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
- iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
- Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Technische Daten
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
- iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
- Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Technische Daten
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
- iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
- Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Technische Daten
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Entwickelt für High-End- und 5G-Smartphones und -Tablets
- iNAND MC EU551 ist unsere UFS 3.1-Speicherlösung der 2. Generation mit Write Booster und Host Performance Booster Version 2.0
- Kapazitäten von 128 GB bis 512 GB im einheitlichen kompakten Formfaktor
Support & Resources
For more documents, please visit our Resource Library:
Angaben
- Bei der Angabe der Speicherkapazität gilt: 1 GB = eine Milliarde Bytes und 1 TB = eine Billion Bytes. Abhängig von der Betriebsumgebung kann die tatsächlich nutzbare Kapazität abweichen.
- Bei der Angabe der Speicherkapazität gilt: 1 GB = eine Milliarde Bytes und 1 TB = eine Billion Bytes. Abhängig von der Betriebsumgebung kann die tatsächlich nutzbare Kapazität abweichen.
- Bei der Angabe der Speicherkapazität gilt: 1 GB = eine Milliarde Bytes und 1 TB = eine Billion Bytes. Abhängig von der Betriebsumgebung kann die tatsächlich nutzbare Kapazität abweichen.
- Bei der Angabe der Speicherkapazität gilt: 1 GB = eine Milliarde Bytes und 1 TB = eine Billion Bytes. Abhängig von der Betriebsumgebung kann die tatsächlich nutzbare Kapazität abweichen.
- Bei der Angabe der Speicherkapazität gilt: 1 GB = eine Milliarde Bytes und 1 TB = eine Billion Bytes. Abhängig von der Betriebsumgebung kann die tatsächlich nutzbare Kapazität abweichen.
- Bei der Angabe der Speicherkapazität gilt: 1 GB = eine Milliarde Bytes und 1 TB = eine Billion Bytes. Abhängig von der Betriebsumgebung kann die tatsächlich nutzbare Kapazität abweichen.