Número de modelo: SDINBDG4-16G-ZA3
e.MMC de automoción - 16GB, 2D NAND

Los nuevos dispositivos de almacenamiento iNAND utilizan la tecnología de almacenamiento flash mejorada para ofrecer una mayor fiabilidad y están dise ... Ver más

Nivel del producto

NAND

Capacidad

300MB/s,Rendimiento de lectura secuencial
300MB/s
Rendimiento de lectura secuencial
e.MMC 5.1,Interfaz
e.MMC 5.1
Interfaz
Garantía limitada de 2 años,Warranty
Garantía limitada de 2 años
Warranty
300MB/s,Rendimiento de lectura secuencial
300MB/s
Rendimiento de lectura secuencial
e.MMC 5.1,Interfaz
e.MMC 5.1
Interfaz
Garantía limitada de 2 años,Warranty
Garantía limitada de 2 años
Warranty

Almacenamiento flash fiable para automóviles conectados y autónomos

Los nuevos dispositivos de almacenamiento iNAND utilizan la tecnología de almacenamiento flash mejorada para ofrecer una mayor fiabilidad y están diseñados para responder a las exigencias de datos de los sistemas avanzados de asistencia a la conducción (ADAS). Sus aplicaciones incluyen el infoentretenimiento, navegación, mapas en alta definición (HD), comunicación V2V/V2I, grabadores de eventos de conducción y conducción autónoma de vanguardia.

Las EFD (unidades flash integradas) iNAND ofrecen un rendimiento fiable incluso en las condiciones ambientales más extremas, con rangos de temperaturas que van de -40 °C a 105 °C. Las sólidas unidades flash integradas iNAND de Western Digital son perfectas para una amplia variedad de sistemas y entornos de automoción conectados. Todas nuestras soluciones de automoción cumplen la normativa AEC-Q100 y están diseñadas para cumplir los requisitos de fiabilidad del sector de la automoción.

Aspectos destacados
●  Unidades flash integradas de nivel de automoción
●  Estándar e.MMC 5.1 HS400
●  Capacidades1: (EM122: 8 GB, 16 GB, 32 GB y 64 GB); (EM132: 32 GB, 64 GB, 128 GB y 256 GB)
●  Compatibilidad con los rangos de temperaturas de la normativa AEC-Q100 de nivel 3 y nivel 2 (de -40 °C a 85 °C y de -40 °C a 105 °C)
●  Carga previa del 100 % del contenido
●  Firmware avanzado de gestión de memoria
●  Alta fiabilidad: corrección avanzada de errores, supervisión del estado y actualización automática

Aplicaciones y cargas de trabajo
●  Sistemas avanzados de asistencia a la conducción (ADAS)
●  Navegación/infoentretenimiento
●  Mapas en alta definición (HD)
●  Comunicación V2V/V2I
●  Clúster digital
●  Grabadores de eventos de conducción
●  Conducción autónoma
●  Actualización telemática y sin cables
●  Base de datos de inteligencia artificial

Especificaciones

Capacidad
16GB
Rendimiento de lectura secuencial
300MB/s
Rendimiento de escritura secuencial
55MB/s
Lectura aleatoria
22K IOPS
Escritura aleatoria
12K IOPS
Interfaz
e.MMC 5.1
Warranty
Garantía limitada de 2 años
Dimensiones (largo, ancho y alto)
0.45" x 0.51" x 0.03"
Número de modelo
SDINBDG4-16G-ZA3
Temp. operativa
-40°C to 105°C
Características del producto
  • Unidades flash integradas de nivel de automoción
  • Estándar e.MMC 5.1 HS400
  • Capacidades:
    • EM122: 8 GB, 16 GB, 32 GB y 64 GB
    • EM132: 32 GB, 64 GB, 128 GB y 256 GB
  • Compatibilidad con los rangos de temperaturas de la normativa AEC-Q100 de nivel 3 y nivel 2 (de -40 °C a 85 °C y de -40 °C a 105 °C)
  • Carga previa del 100 % del contenido
  • Firmware avanzado de gestión de memoria
  • Alta fiabilidad: corrección avanzada de errores, supervisión del estado y actualización automática
Números de modelo
Grade 3, 2D NAND, 8GB: SDINBDG4-8G-XA3
Grade 2, 2D NAND, 8GB: SDINBDG4-8G-ZA3
Grade 3, 2D NAND, 16GB: SDINBDG4-16G-XA3
Grade 2, 2D NAND, 16GB: SDINBDG4-16G-ZA3
Grade 3, 3D NAND, 32GB: SDINBDA6-32G-XA1
Grade 2, 3D NAND, 32GB: SDINBDA6-32G-ZA1
Grade 3, 2D NAND, 32GB: SDINBDG4-32G-XA3
Grade 2, 2D NAND, 32GB: SDINBDG4-32G-ZA3
Grade 3, 3D NAND, 64GB: SDINBDA6-64G-XA1
Grade 2, 3D NAND, 64GB: SDINBDA6-64G-ZA1
Grade 3, 2D NAND, 64GB: SDINBDG4-64G-XA3
Grade 2, 2D NAND, 64GB: SDINBDG4-64G-ZA3
Grade 3, 3D NAND, 128GB: SDINBDA6-128G-XA1
Grade 2, 3D NAND, 128GB: SDINBDA6-128G-ZA1
Grade 3, 3D NAND, 256 GB: SDINBDA6-256G-XA1
Grade 2, 3D NAND, 256 GB: SDINBDA6-256G-ZA1
Números de modelo
Grade 3, 2D NAND, 8GB: SDINBDG4-8G-XA3
Grade 2, 2D NAND, 8GB: SDINBDG4-8G-ZA3
Grade 3, 2D NAND, 16GB: SDINBDG4-16G-XA3
Grade 2, 2D NAND, 16GB: SDINBDG4-16G-ZA3
Grade 3, 3D NAND, 32GB: SDINBDA6-32G-XA1
Grade 2, 3D NAND, 32GB: SDINBDA6-32G-ZA1
Grade 3, 2D NAND, 32GB: SDINBDG4-32G-XA3
Grade 2, 2D NAND, 32GB: SDINBDG4-32G-ZA3
Grade 3, 3D NAND, 64GB: SDINBDA6-64G-XA1
Grade 2, 3D NAND, 64GB: SDINBDA6-64G-ZA1
Grade 3, 2D NAND, 64GB: SDINBDG4-64G-XA3
Grade 2, 2D NAND, 64GB: SDINBDG4-64G-ZA3
Grade 3, 3D NAND, 128GB: SDINBDA6-128G-XA1
Grade 2, 3D NAND, 128GB: SDINBDA6-128G-ZA1
Grade 3, 3D NAND, 256 GB: SDINBDA6-256G-XA1
Grade 2, 3D NAND, 256 GB: SDINBDA6-256G-ZA1

Soporte y recursos

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Divulgaciones

  1. En lo que se refiere a capacidad de almacenamiento, 1 GB = mil millones de bytes y 1 TB = 1 billón de bytes. Puede que la capacidad real del usuario sea menor en función del entorno operativo.