Prepárate para el 5G con un almacenamiento perimetral rápido, fiable y sólido para dispositivos móviles e informáticos
Las redes 5G permiten velocidades ultrarrápidas, baja latencia y altas capacidades de red para transformar no solo los teléfonos inteligentes, sino también millones de dispositivos del internet de las cosas (IoT) interconectados.
Los modelos iNAND MC EU551, EU511 y EU311 son nuestras soluciones de almacenamiento flash universal (UFS) más avanzadas y se basan en la última tecnología NAND 3D.
- iNAND MC EU551 permite el liderazgo tecnológico y de producto gracias a un EFD UFS 3.1 Gear 4 de 2 líneas (almacenamiento flash universal) apto para la movilidad.
- iNAND MC EU511 es apto para dispositivos 5G con velocidades extraordinarias de escritura secuencial y rendimiento iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 ofrece un rendimiento excepcional de lectura y escritura gracias a SmartSLC y UFS 2.1.
Estos productos están diseñados para ofrecer una experiencia de usuario rápida y fluida para los dispositivos móviles y tabletas de gama alta con un consumo intensivo de datos.
Prepárate para el 5G con un almacenamiento perimetral rápido, fiable y sólido para dispositivos móviles e informáticos
Las redes 5G permiten velocidades ultrarrápidas, baja latencia y altas capacidades de red para transformar no solo los teléfonos inteligentes, sino también millones de dispositivos del internet de las cosas (IoT) interconectados.
Los modelos iNAND MC EU551, EU511 y EU311 son nuestras soluciones de almacenamiento flash universal (UFS) más avanzadas y se basan en la última tecnología NAND 3D.
- iNAND MC EU551 permite el liderazgo tecnológico y de producto gracias a un EFD UFS 3.1 Gear 4 de 2 líneas (almacenamiento flash universal) apto para la movilidad.
- iNAND MC EU511 es apto para dispositivos 5G con velocidades extraordinarias de escritura secuencial y rendimiento iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 ofrece un rendimiento excepcional de lectura y escritura gracias a SmartSLC y UFS 2.1.
Estos productos están diseñados para ofrecer una experiencia de usuario rápida y fluida para los dispositivos móviles y tabletas de gama alta con un consumo intensivo de datos.
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Las redes 5G permiten velocidades ultrarrápidas, baja latencia y altas capacidades de red para transformar no solo los teléfonos inteligentes, sino también millones de dispositivos del internet de las cosas (IoT) interconectados.
Los modelos iNAND MC EU551, EU511 y EU311 son nuestras soluciones de almacenamiento flash universal (UFS) más avanzadas y se basan en la última tecnología NAND 3D.
- iNAND MC EU551 permite el liderazgo tecnológico y de producto gracias a un EFD UFS 3.1 Gear 4 de 2 líneas (almacenamiento flash universal) apto para la movilidad.
- iNAND MC EU511 es apto para dispositivos 5G con velocidades extraordinarias de escritura secuencial y rendimiento iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 ofrece un rendimiento excepcional de lectura y escritura gracias a SmartSLC y UFS 2.1.
Estos productos están diseñados para ofrecer una experiencia de usuario rápida y fluida para los dispositivos móviles y tabletas de gama alta con un consumo intensivo de datos.
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Las redes 5G permiten velocidades ultrarrápidas, baja latencia y altas capacidades de red para transformar no solo los teléfonos inteligentes, sino también millones de dispositivos del internet de las cosas (IoT) interconectados.
Los modelos iNAND MC EU551, EU511 y EU311 son nuestras soluciones de almacenamiento flash universal (UFS) más avanzadas y se basan en la última tecnología NAND 3D.
- iNAND MC EU551 permite el liderazgo tecnológico y de producto gracias a un EFD UFS 3.1 Gear 4 de 2 líneas (almacenamiento flash universal) apto para la movilidad.
- iNAND MC EU511 es apto para dispositivos 5G con velocidades extraordinarias de escritura secuencial y rendimiento iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 ofrece un rendimiento excepcional de lectura y escritura gracias a SmartSLC y UFS 2.1.
Estos productos están diseñados para ofrecer una experiencia de usuario rápida y fluida para los dispositivos móviles y tabletas de gama alta con un consumo intensivo de datos.
Prepárate para el 5G con un almacenamiento perimetral rápido, fiable y sólido para dispositivos móviles e informáticos
Las redes 5G permiten velocidades ultrarrápidas, baja latencia y altas capacidades de red para transformar no solo los teléfonos inteligentes, sino también millones de dispositivos del internet de las cosas (IoT) interconectados.
Los modelos iNAND MC EU551, EU511 y EU311 son nuestras soluciones de almacenamiento flash universal (UFS) más avanzadas y se basan en la última tecnología NAND 3D.
- iNAND MC EU551 permite el liderazgo tecnológico y de producto gracias a un EFD UFS 3.1 Gear 4 de 2 líneas (almacenamiento flash universal) apto para la movilidad.
- iNAND MC EU511 es apto para dispositivos 5G con velocidades extraordinarias de escritura secuencial y rendimiento iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 ofrece un rendimiento excepcional de lectura y escritura gracias a SmartSLC y UFS 2.1.
Estos productos están diseñados para ofrecer una experiencia de usuario rápida y fluida para los dispositivos móviles y tabletas de gama alta con un consumo intensivo de datos.
Prepárate para el 5G con un almacenamiento perimetral rápido, fiable y sólido para dispositivos móviles e informáticos
Las redes 5G permiten velocidades ultrarrápidas, baja latencia y altas capacidades de red para transformar no solo los teléfonos inteligentes, sino también millones de dispositivos del internet de las cosas (IoT) interconectados.
Los modelos iNAND MC EU551, EU511 y EU311 son nuestras soluciones de almacenamiento flash universal (UFS) más avanzadas y se basan en la última tecnología NAND 3D.
- iNAND MC EU551 permite el liderazgo tecnológico y de producto gracias a un EFD UFS 3.1 Gear 4 de 2 líneas (almacenamiento flash universal) apto para la movilidad.
- iNAND MC EU511 es apto para dispositivos 5G con velocidades extraordinarias de escritura secuencial y rendimiento iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 ofrece un rendimiento excepcional de lectura y escritura gracias a SmartSLC y UFS 2.1.
Estos productos están diseñados para ofrecer una experiencia de usuario rápida y fluida para los dispositivos móviles y tabletas de gama alta con un consumo intensivo de datos.
Aspectos destacados
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
● Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
● iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación, e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
● Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Teléfonos inteligentes 5G y de gama alta
● Teléfonos inteligentes con un consumo intensivo de datos
● Tabletas
● Chromebooks
● Realidad aumentada
● Realidad virtual
● Inteligencia artificial
● Vídeo en 4K
● Varias cámaras de alta resolución
Aspectos destacados
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
● Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
● iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación, e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
● Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Teléfonos inteligentes 5G y de gama alta
● Teléfonos inteligentes con un consumo intensivo de datos
● Tabletas
● Chromebooks
● Realidad aumentada
● Realidad virtual
● Inteligencia artificial
● Vídeo en 4K
● Varias cámaras de alta resolución
Aspectos destacados
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
● Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
● iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación, e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
● Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Teléfonos inteligentes 5G y de gama alta
● Teléfonos inteligentes con un consumo intensivo de datos
● Tabletas
● Chromebooks
● Realidad aumentada
● Realidad virtual
● Inteligencia artificial
● Vídeo en 4K
● Varias cámaras de alta resolución
Aspectos destacados
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
● Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
● iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación, e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
● Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Teléfonos inteligentes 5G y de gama alta
● Teléfonos inteligentes con un consumo intensivo de datos
● Tabletas
● Chromebooks
● Realidad aumentada
● Realidad virtual
● Inteligencia artificial
● Vídeo en 4K
● Varias cámaras de alta resolución
Aspectos destacados
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
● Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
● iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación, e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
● Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Teléfonos inteligentes 5G y de gama alta
● Teléfonos inteligentes con un consumo intensivo de datos
● Tabletas
● Chromebooks
● Realidad aumentada
● Realidad virtual
● Inteligencia artificial
● Vídeo en 4K
● Varias cámaras de alta resolución
Aspectos destacados
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
● Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
● iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación, e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
● Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Teléfonos inteligentes 5G y de gama alta
● Teléfonos inteligentes con un consumo intensivo de datos
● Tabletas
● Chromebooks
● Realidad aumentada
● Realidad virtual
● Inteligencia artificial
● Vídeo en 4K
● Varias cámaras de alta resolución
Especificaciones
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
- Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
- iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
- Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Especificaciones
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
- Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
- iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
- Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Especificaciones
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
- Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
- iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
- Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Especificaciones
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
- Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
- iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
- Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Especificaciones
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
- Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
- iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
- Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Especificaciones
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2 líneas
- Diseñado para teléfonos inteligentes y tabletas 5G y de gama alta
- iNAND MC EU551 es nuestra solución de almacenamiento UFS 3.1 de segunda generación e incluye las tecnologías Write Booster y Host Performance Booster, versión 2.0
- Capacidades de entre 128 GB y 512 GB en un formato unificado y compacto
Valoraciones y opiniones
Recursos de asistencia
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Detalles
- En lo que se refiere a capacidad de almacenamiento, 1 GB = mil millones de bytes y 1 TB = 1 billón de bytes. Puede que la capacidad real del usuario sea menor en función del entorno operativo.
- En lo que se refiere a capacidad de almacenamiento, 1 GB = mil millones de bytes y 1 TB = 1 billón de bytes. Puede que la capacidad real del usuario sea menor en función del entorno operativo.
- En lo que se refiere a capacidad de almacenamiento, 1 GB = mil millones de bytes y 1 TB = 1 billón de bytes. Puede que la capacidad real del usuario sea menor en función del entorno operativo.
- En lo que se refiere a capacidad de almacenamiento, 1 GB = mil millones de bytes y 1 TB = 1 billón de bytes. Puede que la capacidad real del usuario sea menor en función del entorno operativo.
- En lo que se refiere a capacidad de almacenamiento, 1 GB = mil millones de bytes y 1 TB = 1 billón de bytes. Puede que la capacidad real del usuario sea menor en función del entorno operativo.
- En lo que se refiere a capacidad de almacenamiento, 1 GB = mil millones de bytes y 1 TB = 1 billón de bytes. Puede que la capacidad real del usuario sea menor en función del entorno operativo.