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UFS commerciale
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Le reti 5G garantiscono velocità ultrarapide, latenza ridotta e capacità di rete elevate, rivoluzionando non solo gli smartphone ma miliardi di dispositivi IoT interconnessi.
Le memorie iNAND MC EU551, EU511 e EU311 rappresentano le soluzioni UFS (Universal Flash Storage) più avanzate, costruite sulla più recente tecnologia 3D NAND.
- La memoria iNAND MC EU551 detiene il primato del settore, grazie all’unità EFD (Embedded Flash Drive) UFS 3.1 con configurazione Gear 4/2-Lane per la mobilità.
- La memoria iNAND MC EU511 è disponibile per i dispositivi 5G con velocità di scrittura sequenziali elevatissime e prestazioni da iNAND SmartSLC Gen 6.
- La memoria iNAND MC EU311 offre prestazioni di lettura e scrittura eccezionali grazie alla tecnologia SmartSLC e allo standard UFS 2.1.
Questi prodotti sono progettati per offrire un’esperienza utente rapida e fluida per i dispositivi mobili e i tablet top di gamma più esigenti in termini di dati
... Scopri di piùLe reti 5G garantiscono velocità ultrarapide, latenza ridotta e capacità di rete elevate, rivoluzionando non solo gli smartphone ma miliardi di dispositivi IoT interconnessi.
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- La memoria iNAND MC EU551 detiene il primato del settore, grazie all’unità EFD (Embedded Flash Drive) UFS 3.1 con configurazione Gear 4/2-Lane per la mobilità.
- La memoria iNAND MC EU511 è disponibile per i dispositivi 5G con velocità di scrittura sequenziali elevatissime e prestazioni da iNAND SmartSLC Gen 6.
- La memoria iNAND MC EU311 offre prestazioni di lettura e scrittura eccezionali grazie alla tecnologia SmartSLC e allo standard UFS 2.1.
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- La memoria iNAND MC EU551 detiene il primato del settore, grazie all’unità EFD (Embedded Flash Drive) UFS 3.1 con configurazione Gear 4/2-Lane per la mobilità.
- La memoria iNAND MC EU511 è disponibile per i dispositivi 5G con velocità di scrittura sequenziali elevatissime e prestazioni da iNAND SmartSLC Gen 6.
- La memoria iNAND MC EU311 offre prestazioni di lettura e scrittura eccezionali grazie alla tecnologia SmartSLC e allo standard UFS 2.1.
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- La memoria iNAND MC EU511 è disponibile per i dispositivi 5G con velocità di scrittura sequenziali elevatissime e prestazioni da iNAND SmartSLC Gen 6.
- La memoria iNAND MC EU311 offre prestazioni di lettura e scrittura eccezionali grazie alla tecnologia SmartSLC e allo standard UFS 2.1.
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- La memoria iNAND MC EU511 è disponibile per i dispositivi 5G con velocità di scrittura sequenziali elevatissime e prestazioni da iNAND SmartSLC Gen 6.
- La memoria iNAND MC EU311 offre prestazioni di lettura e scrittura eccezionali grazie alla tecnologia SmartSLC e allo standard UFS 2.1.
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Questi prodotti sono progettati per offrire un’esperienza utente rapida e fluida per i dispositivi mobili e i tablet top di gamma più esigenti in termini di dati
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Preparati al 5G con un edge storage resistente, affidabile e rapido per dispositivi mobili e computer
Le reti 5G garantiscono velocità ultrarapide, latenza ridotta e capacità di rete elevate, rivoluzionando non solo gli smartphone ma miliardi di dispositivi IoT interconnessi.
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Questi prodotti sono progettati per offrire un’esperienza utente rapida e fluida per i dispositivi mobili e i tablet top di gamma più esigenti in termini di dati
Caratteristiche principali
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
● La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
● Capacità da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Applicazioni e workload
● Smartphone 5G top di gamma
● Smartphone a uso intensivo di dati
● Tablet
● Chromebook
● Realtà aumentata
● Realtà virtuale
● Intelligenza artificiale
● Video in 4K
● Telecamere multiple ad alta risoluzione
Caratteristiche principali
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
● La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
● Capacità da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Applicazioni e workload
● Smartphone 5G top di gamma
● Smartphone a uso intensivo di dati
● Tablet
● Chromebook
● Realtà aumentata
● Realtà virtuale
● Intelligenza artificiale
● Video in 4K
● Telecamere multiple ad alta risoluzione
Caratteristiche principali
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
● La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
● Capacità da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Applicazioni e workload
● Smartphone 5G top di gamma
● Smartphone a uso intensivo di dati
● Tablet
● Chromebook
● Realtà aumentata
● Realtà virtuale
● Intelligenza artificiale
● Video in 4K
● Telecamere multiple ad alta risoluzione
Caratteristiche principali
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
● La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
● Capacità da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Applicazioni e workload
● Smartphone 5G top di gamma
● Smartphone a uso intensivo di dati
● Tablet
● Chromebook
● Realtà aumentata
● Realtà virtuale
● Intelligenza artificiale
● Video in 4K
● Telecamere multiple ad alta risoluzione
Caratteristiche principali
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
● La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
● Capacità da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Applicazioni e workload
● Smartphone 5G top di gamma
● Smartphone a uso intensivo di dati
● Tablet
● Chromebook
● Realtà aumentata
● Realtà virtuale
● Intelligenza artificiale
● Video in 4K
● Telecamere multiple ad alta risoluzione
Caratteristiche principali
● UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
● Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
● La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
● Capacità da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Applicazioni e workload
● Smartphone 5G top di gamma
● Smartphone a uso intensivo di dati
● Tablet
● Chromebook
● Realtà aumentata
● Realtà virtuale
● Intelligenza artificiale
● Video in 4K
● Telecamere multiple ad alta risoluzione
Specifiche
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
- La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
- Capacità di memoria da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Specifiche
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
- La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
- Capacità di memoria da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Specifiche
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
- La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
- Capacità di memoria da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Specifiche
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
- La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
- Capacità di memoria da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Specifiche
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
- La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
- Capacità di memoria da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Specifiche
- UFS 2.1/3.0/3.1 Gear 4, 2-Lane
- Progettata per smartphone e tablet 5G top di gamma
- La memoria iNAND MC EU551 è la soluzione di storage UFS 3.1 di seconda generazione, con tecnologia Write Booster e Host Performance Booster versione 2.0
- Capacità di memoria da 128 GB a 512 GB all’interno di un unico formato ridotto
Recensioni e valutazioni
Risorse di supporto
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Informazioni
- Relativamente alla capacità di storage, 1 GB equivale a 1 miliardo di byte e 1 TB equivale a mille miliardi di byte. L’effettiva capacità utilizzabile potrebbe essere minore, in quanto dipende dall'ambiente operativo.
- Relativamente alla capacità di storage, 1 GB equivale a 1 miliardo di byte e 1 TB equivale a mille miliardi di byte. L’effettiva capacità utilizzabile potrebbe essere minore, in quanto dipende dall'ambiente operativo.
- Relativamente alla capacità di storage, 1 GB equivale a 1 miliardo di byte e 1 TB equivale a mille miliardi di byte. L’effettiva capacità utilizzabile potrebbe essere minore, in quanto dipende dall'ambiente operativo.
- Relativamente alla capacità di storage, 1 GB equivale a 1 miliardo di byte e 1 TB equivale a mille miliardi di byte. L’effettiva capacità utilizzabile potrebbe essere minore, in quanto dipende dall'ambiente operativo.
- Relativamente alla capacità di storage, 1 GB equivale a 1 miliardo di byte e 1 TB equivale a mille miliardi di byte. L’effettiva capacità utilizzabile potrebbe essere minore, in quanto dipende dall'ambiente operativo.
- Relativamente alla capacità di storage, 1 GB equivale a 1 miliardo di byte e 1 TB equivale a mille miliardi di byte. L’effettiva capacità utilizzabile potrebbe essere minore, in quanto dipende dall'ambiente operativo.