Número de modelo: {{currentSku}}
IX SN530 NVMe SSD
- {{getUnEscapedHTMLContent(variantTagData)}}
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver másBasado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
... Ver más
{{formatPrice(inventory.prices.list.amount, inventory.prices.list.currency)}}
{{formatPrice(inventory.prices.sale.amount, inventory.prices.sale.currency)}}
{{formatPrice(inventory.prices.list.amount,
inventory.prices.list.currency)}}
{{formatPrice(inventory.prices.list.amount, inventory.prices.list.currency)}}
{{formatPrice(inventory.prices.list.amount,
inventory.prices.list.currency)}}
{{formatPrice(inventory.prices.sale.amount, inventory.prices.sale.currency)}} / {{inventory.prices.sale.billingPlanName}}
-
{{volumePrice.minQuantity}}+ {{volumePrice.amountFormatted}} /Ea.
-
{{inventory.prices.maxQuantity}}+ Solicitar un presupuesto
Price {{inventory.prices.list.amountFormatted}}
Offer Price {{inventory.prices.sale.amountFormatted}}
Actual Price {{inventory.prices.list.amountFormatted}}
Price {{inventory.prices.list.amountFormatted}}
Offer Price {{inventory.prices.sale.amountFormatted}} / {{inventory.prices.sale.billingPlanName}}
Actual Price {{inventory.prices.list.amountFormatted}}
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Hace posible la próxima generación de aplicaciones industriales con uso de datos intensivo y diseños de conducción autónoma.
Basado en la robusta arquitectura NAND 3D de 96 capas y aprovechando la arquitectura NVMe, el IX SN530 ofrece alto rendimiento y resistencia para apoyar el desarrollo de avances innovadores en aplicaciones de conducción autónoma.
El IX SN530 incluye una interfaz PCIe Gen3x4 NVMe™1 con una NAND de nivel industrial para proporcionar rangos de temperatura operativa y resistencia mejorados. Está diseñado para aportar versatilidad y valor en múltiples capacidades, opción de formatos M.2 2230 y 2280 y la posibilidad de elegir entre las configuraciones SLC o TLC para ofrecer lo último en diseño robusto y duradero en aplicaciones industriales.
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Temperaturas operativas
La tecnología actual debe ser capaz de funcionar a una gran variedad de temperaturas. Las últimas innovaciones en tecnologías industriales están diseñadas para fenómenos que van desde olas de calor veraniegas a tormentas de nieve invernales, y los datos recopilados por estos sistemas están creados para sobrevivir a estas condiciones extremas. El nuevo IX SN530 NVMe SSD, concebido para resistir una amplia gama de temperaturas operativas (de -40 ˚C a 85 ˚C), permite a los diseñadores preocuparse menos por la necesidad de mantener el dispositivo frío o caliente y centrarse en diseñar las últimas innovaciones con mayor confianza y flexibilidad.
Creado para resistir en condiciones extremas
El IX SN530 no solo está diseñado para funcionar bajo una gran variedad de temperaturas. También soporta las condiciones más extremas, con una resistencia a los golpes de 1500 G a 0,5 m/s y una resistencia a la vibración de fuerzas de 20 G de 7 Hz a 2000 Hz. Combinado con la resistencia prevista de hasta 24 000 TBW para admitir aplicaciones de escritura intensiva, el IX SN530 es ideal para los sistemas ubicados en localizaciones remotas y difíciles de acceder en las que las condiciones pueden cambiar sin previo aviso.
Resistencia
Para aplicaciones de escritura intensiva, como grabadores de datos, “cajas negras” o registradores de datos, la opción IX SN530 SLC, con una resistencia de hasta 24 000 TBW (previstos) y un rendimiento de escritura secuencial constante de hasta 1950 MB/s, evita la necesidad de utilizar múltiples dispositivos TLC de alta capacidad, proporcionando una durabilidad hasta 9 veces mayor y un rendimiento de escritura constante de TLC hasta 5 veces mayor.
Diseño interno robusto
El IX SN530 es una solución de almacenamiento de Western Digital integrada de forma completamente vertical. Desde la NAND 3D de 96 capas, el controlador interno y el firmware hasta la validación y calificación interna. Ofrece la alta calidad y fiabilidad que se espera de un SSD de nivel industrial.
Rendimiento para cumplir con las necesidades de robustez
Gracias a la interfaz PCIe Gen 3x4, el IX SN530 ofrece velocidades increíbles para cumplir los requisitos de rendimiento crecientes de los sistemas industriales del IoT. Con velocidades de lectura secuenciales de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s, el IX SN530 es tan resistente como rápido.
Opciones de adquisición de los SSD NVMe
Disponible en dos formatos, M.2 2280 y M.2 2230, el IX SN530 proporciona flexibilidad para lidiar con los límites de diseño y mecánicos a los que se pueden enfrentar los diseñadores de sistemas cuando buscan soluciones de almacenamiento de alta capacidad.
Aspectos destacados
● Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
● Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
● Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)2
● Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)3
● Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s4
● Configuraciones TLC y SLC disponibles
● Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Aplicaciones y cargas de trabajo
● Robótica
● Ordenadores industriales
● Automatización industrial
● Señalización digital
● Diseños sin ventilador
● Equipamiento de redes
● Sistemas de entretenimiento para aviones
● Puertas de enlace de perímetro del IoT
● Registros de datos para sistemas de conducción autónoma
● Dispositivos de arranque para sistemas de automóvil
● Registro de datos y DVR móviles para transporte público
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Especificaciones
- Temperatura operativa de -40 ˚C a 85 ˚C
- Frecuencia de vibración operativa de 20 G desde 7 a 2000 Hz
- Capacidades de 256 GB a 2 TB (modelo de 2 TB solo disponible en el formato M.2 2280)
- Resistencia prevista de hasta 5200 TBW (TLC) y 24 000 TBW (SLC)
- Velocidades de lectura secuencial de hasta 2400 Mb/s y velocidades de escritura de hasta 1950 Mb/s
- Configuraciones TLC y SLC disponibles
- Formatos M.2 2230 y M.2 2280
Valoraciones y opiniones
Recursos de asistencia
Para consultar más documentos, visita nuestra biblioteca de recursos:
Detalles
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 hasta cuatro vías, y velocidad de bits de 2,5 Gb/s, 5 Gb/s u 8 Gb/s. Ancho configurable de la vía: x1, x2 y x4. NVM Express versión 1.4.
- Las capacidades se basan en la especificación de discos duros de IDEMA. Consulta www.idema.org para obtener más información. 1 gigabyte (GB) = mil millones de bytes; 1 terabyte (TB) = 1 billón de bytes; 2 TB solo es compatible con el formato M.2 2280.
- TBW = terabytes escritos. La resistencia se calcula en función de la operación de escritura secuencial constante sin periodos de inactividad frecuentes.
- Condiciones de prueba: El rendimiento se mide con CrystalDiskMark 6.0.0, utilizando un disco secundario con un rango de direccionamiento de bloque lógico de 1000 MB en un ordenador de sobremesa con CPU Intel® Core™ i7 7700 y 8 GB de RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro de 64 bits 20H1 19041.208 con controlador Microsoft StorNVMe. El rendimiento de lectura secuencial hace referencia a las especificaciones máximas y constantes.
- Basado en el cálculo interno de WD, utilizando una metodología de predicción de acuerdo con el Informe especial SR-332 de Telcordia. La predicción se basa en un análisis de estrés de las piezas, realizado a una temperatura de 40 °C en un entorno en tierra, benigno, con un ciclo de trabajo de 12 horas al día.
- La temperatura operativa se define como -40 °C en referencia a la temperatura ambiente. 85 °C hace referencia a la temperatura de la carcasa de NAND BGA. Cuando la temperatura compuesta SMART registrada por el disco supera los 85 °C, se inicia la desaceleración térmica.
- El formato cumple con la especificación PCI Express M.2, rev. 4.0. Altura Z de los componentes sobre PCB <= 1,5 mm (S3).