Numero di modello: {{currentSku}}
IX SN530 NVMe SSD
- {{getUnEscapedHTMLContent(variantTagData)}}
Basata sulla tecnologia 3D NAND a 96 livelli e dotata di interfaccia NVMe, l’unità IX SN530 offre prestazioni elevate e massima resistenza per permettere lo sviluppo di innovazioni rivoluzionarie nelle applicazioni di tipo industriale e per la guida autonoma.
L’unità IX SN530 è dotata di interfaccia NVMe™1 PCIe Gen3x4 con tecnologia NAND di tipo industriale, per garantire intervalli di temperatura operativa più estesi e maggiore resistenza. Progettati per garantire versatilità e qualità con diverse capacità di memoria, i formati M.2 2230 e 2280, insieme alla scelta delle configurazioni SLC o TLC, introducono nel panorama industriale un design ad alta resistenza.
... Scopri di piùBasata sulla tecnologia 3D NAND a 96 livelli e dotata di interfaccia NVMe, l’unità IX SN530 offre prestazioni elevate e massima resistenza per permettere lo sviluppo di innovazioni rivoluzionarie nelle applicazioni di tipo industriale e per la guida autonoma.
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{{formatPrice(inventory.prices.list.amount, inventory.prices.list.currency)}}
{{formatPrice(inventory.prices.sale.amount, inventory.prices.sale.currency)}}
{{formatPrice(inventory.prices.list.amount,
inventory.prices.list.currency)}}
{{formatPrice(inventory.prices.list.amount, inventory.prices.list.currency)}}
{{formatPrice(inventory.prices.list.amount,
inventory.prices.list.currency)}}
{{formatPrice(inventory.prices.sale.amount, inventory.prices.sale.currency)}} / {{inventory.prices.sale.billingPlanName}}
-
{{volumePrice.minQuantity}}+ {{volumePrice.amountFormatted}} /Ea.
-
{{inventory.prices.maxQuantity}}+ Richiedi un preventivo
Price {{inventory.prices.list.amountFormatted}}
Offer Price {{inventory.prices.sale.amountFormatted}}
Actual Price {{inventory.prices.list.amountFormatted}}
Price {{inventory.prices.list.amountFormatted}}
Offer Price {{inventory.prices.sale.amountFormatted}} / {{inventory.prices.sale.billingPlanName}}
Actual Price {{inventory.prices.list.amountFormatted}}
La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
Basata sulla tecnologia 3D NAND a 96 livelli e dotata di interfaccia NVMe, l’unità IX SN530 offre prestazioni elevate e massima resistenza per permettere lo sviluppo di innovazioni rivoluzionarie nelle applicazioni di tipo industriale e per la guida autonoma.
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La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
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La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
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La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
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La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
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La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
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La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
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La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
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La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
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La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
Basata sulla tecnologia 3D NAND a 96 livelli e dotata di interfaccia NVMe, l’unità IX SN530 offre prestazioni elevate e massima resistenza per permettere lo sviluppo di innovazioni rivoluzionarie nelle applicazioni di tipo industriale e per la guida autonoma.
L’unità IX SN530 è dotata di interfaccia NVMe™1 PCIe Gen3x4 con tecnologia NAND di tipo industriale, per garantire intervalli di temperatura operativa più estesi e maggiore resistenza. Progettati per garantire versatilità e qualità con diverse capacità di memoria, i formati M.2 2230 e 2280, insieme alla scelta delle configurazioni SLC o TLC, introducono nel panorama industriale un design ad alta resistenza.
La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
Basata sulla tecnologia 3D NAND a 96 livelli e dotata di interfaccia NVMe, l’unità IX SN530 offre prestazioni elevate e massima resistenza per permettere lo sviluppo di innovazioni rivoluzionarie nelle applicazioni di tipo industriale e per la guida autonoma.
L’unità IX SN530 è dotata di interfaccia NVMe™1 PCIe Gen3x4 con tecnologia NAND di tipo industriale, per garantire intervalli di temperatura operativa più estesi e maggiore resistenza. Progettati per garantire versatilità e qualità con diverse capacità di memoria, i formati M.2 2230 e 2280, insieme alla scelta delle configurazioni SLC o TLC, introducono nel panorama industriale un design ad alta resistenza.
La futura generazione di applicazioni industriali a uso intensivo di dati e progettazioni per la guida autonoma
Basata sulla tecnologia 3D NAND a 96 livelli e dotata di interfaccia NVMe, l’unità IX SN530 offre prestazioni elevate e massima resistenza per permettere lo sviluppo di innovazioni rivoluzionarie nelle applicazioni di tipo industriale e per la guida autonoma.
L’unità IX SN530 è dotata di interfaccia NVMe™1 PCIe Gen3x4 con tecnologia NAND di tipo industriale, per garantire intervalli di temperatura operativa più estesi e maggiore resistenza. Progettati per garantire versatilità e qualità con diverse capacità di memoria, i formati M.2 2230 e 2280, insieme alla scelta delle configurazioni SLC o TLC, introducono nel panorama industriale un design ad alta resistenza.
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
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● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Temperature operative
La tecnologia attuale deve essere in grado di funzionare con un intervallo di temperatura esteso. Le tecnologie industriali più all’avanguardia sono progettate per fenomeni atmosferici avversi, come ondate di calore in estate e tempeste di neve in inverno. Ci si aspetta quindi che i dati raccolti dai sistemi in questione possano resistere in tali condizioni estreme. Poiché la nuova unità IX SN530 NVMe SSD supporta un ampio intervallo di temperature operative (da -40 °C a +85 °C), i progettisti non si devono preoccupare della temperatura del dispositivo di storage e possono lavorare alle loro innovazioni con la massima sicurezza e flessibilità.
Realizzata per resistere alle condizioni più estreme e avverse
L’unità IX SN530 è progettata non soltanto per funzionare con un intervallo di temperatura più esteso, ma anche per sopportare condizioni ancora più estreme, grazie a una resistenza agli urti di 1,500 G a 0,5 msec e una resistenza alle vibrazioni di forze pari a 20 G in un intervallo da 7 Hz a 2.000 Hz. Con una resistenza stimata fino a 24.000 TBW per supportare le applicazioni a scrittura elevata, l’unità IX SN530 è perfetta per i sistemi posizionati in luoghi remoti, dall’accesso difficile, dove le condizioni possono cambiare all’improvviso.
Resistenza
Per le applicazioni a scrittura elevata, come ad esempio registratori di dati, “scatole nere” e registrazioni dati, l’opzione IX SN530 SLC, con una resistenza (stimata) fino a 24.000 TBW e prestazioni di scrittura sequenziale sostenuta fino a 1.950 MB/s, permette di non dovere utilizzare più dispositivi TLC a capacità elevata, grazie a una resistenza TLC 9 volte superiore e a prestazioni di scrittura sostenuta TLC fino a 5 volte maggiori.
Design resistente sviluppato da Western Digital
L’unità IX SN530 è una soluzione di storage Western Digital interamente integrata verticalmente. Dalla memoria 3D NAND a 96 livelli, dai controller e firmware sviluppati internamente, alle fasi di convalida e qualifica interne. La qualità e l’affidabilità indispensabili per un’SSD di livello industriale.
Prestazioni garantite per soddisfare i requisiti più complessi
Utilizzando PCIe Gen 3x4, l’unità IX SN530 garantisce velocità incredibili per soddisfare requisiti di prestazioni sempre maggiori dei sistemi industriali IoT. Con velocità di lettura sequenziale fino a 2.400 MB/s e di scrittura fino a 1.950 MB/s, l’unità IX SN530 coniuga efficacemente robustezza e velocità.
Le unità NVMe SSD offrono diverse opzioni
Disponibile in due formati, M.2 2280 e M.2 2230, l’unità IX SN530 offre la giusta flessibilità per permettere ai progettisti di sistemi di superare i limiti progettuali e meccanici delle soluzioni di storage ad alta capacità.
Caratteristiche principali
● Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
● Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
● Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)2
● Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)3
● Velocità di lettura fino a 2.440 MB/s e velocità di scrittura fino a 1.950 MB/s4
● Configurazioni TLC e SLC disponibili
● Formati M.2 2230 e M.2 2280
Applicazioni e workload
● Robotica
● PC industriali
● Automazione industriale
● Segnaletica digitale
● Modelli senza ventole
● Apparecchiature per i servizi di rete
● Sistemi di intrattenimento per aerei
● Gateway edge IoT
● Registrazione dati per sistemi di guida autonomi
● Dispositivo di avvio per sistemi per autoveicoli
● Registrazione dati e registratori DVR mobili per i mezzi pubblici
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Specifiche
- Temperatura operativa da -40 ˚C a +85 ˚C
- Frequenza operativa delle vibrazioni 20 G da 7 a 2000 Hz
- Capacità da 256 GB a 2 TB (2 TB disponibili solo nel formato M.2 2280)
- Resistenza stimata fino a 5.200 TBW (TLC) e 24.000 TBW (SLC)
- Velocità di lettura sequenziali fino a 2.400 MB/s e velocità di scrittura sequenziali fino a 1.950 MB/s
- Configurazioni TLC e SLC disponibili
- Formati M.2 2230 e M.2 2280
Recensioni e valutazioni
Risorse di supporto
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Informazioni
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).
- PCI Express 3.0 fino a 4 corsie e bitrate pari a 2,5 Gbps, 5 Gbps o 8 Gbps. Larghezza della corsia configurabile: x1, x2 e x4. NVM Express versione 1.4.
- Le capacità si basano sulle specifiche IDEMA HDD. Per maggiori informazioni, consultare il sito www.idema.org. 1 (GB) = 1 miliardo di byte; 1 terabyte (TB) = mille miliardi di byte; il modello da 2 TB è supportato solo dal formato M.2 2280.
- TBW = terabytes written (terbyte scritti). La resistenza è calcolata in base alle operazioni di scrittura sequenziale sostenute senza tempi di inattività frequenti.
- Condizioni dei test: Le prestazioni si basano su CrystalDiskMark 6.0.0, utilizzando un intervallo LBA da 1000 MB come unità secondaria per desktop con Intel® Core™ i7 7700 CPU, 8 GB di RAM. Sistema operativo: Windows 10 Pro a 64 bit 20H1 19041.208 utilizzando il driver Microsoft StorNVMe. Le prestazioni di lettura sequenziale fanno riferimento a entrambe le specifiche di scatto continuo e velocità sostenuta.
- Sulla base di calcoli interni WD, con l’utilizzo di una metodologia di probabilità conforme allo Special Report Telcordia SR-332. La probabilità è basata sull’analisi delle sollecitazioni dei singoli componenti a una temperatura di 40°C a terra, in un ambiente protetto (ground, benign, GB), con cicli di lavoro di 12 ore al giorno.
- La temperatura operativa, definita a -40°C, si riferisce alla temperatura ambiente. +85°C si riferisce alla temperatura del case NAND BGA. Se la temperatura composita SMART riportata dall’unità supera gli 85°C, verrà avviata la limitazione termica.
- Il formato è conforme alle specifiche PCI Express M.2, rev. 4.0. Altezza dei componenti Z superiore al PCB < = 1,5 mm (S3).