Numer modelu: SDINBDA6-128G
Commercial e.MMC
- 128GB, 3D NAND
Klasa produktu
NAND
Pojemność
Bogate portfolio produktów pamięci masowej flash dla urządzeń mobilnych i komercyjnych
Pamięci iNAND CL EM132, CL EM122 i MC EM141 e.MMC dają producentom urządzeń mobilnych i komercyjnych możliwość wprowadzania innowacji. Produkty iNAND oferują niezawodność, wytrzymałość i skalowalność dla różnych zastosowań.
Bogate portfolio produktów pamięci masowej flash dla urządzeń mobilnych i komercyjnych
Pamięci iNAND CL EM132, CL EM122 i MC EM141 e.MMC dają producentom urządzeń mobilnych i komercyjnych możliwość wprowadzania innowacji. Produkty iNAND oferują niezawodność, wytrzymałość i skalowalność dla różnych zastosowań.
Bogate portfolio produktów pamięci masowej flash dla urządzeń mobilnych i komercyjnych
Pamięci iNAND CL EM132, CL EM122 i MC EM141 e.MMC dają producentom urządzeń mobilnych i komercyjnych możliwość wprowadzania innowacji. Produkty iNAND oferują niezawodność, wytrzymałość i skalowalność dla różnych zastosowań.
Bogate portfolio produktów pamięci masowej flash dla urządzeń mobilnych i komercyjnych
Pamięci iNAND CL EM132, CL EM122 i MC EM141 e.MMC dają producentom urządzeń mobilnych i komercyjnych możliwość wprowadzania innowacji. Produkty iNAND oferują niezawodność, wytrzymałość i skalowalność dla różnych zastosowań.
Bogate portfolio produktów pamięci masowej flash dla urządzeń mobilnych i komercyjnych
Pamięci iNAND CL EM132, CL EM122 i MC EM141 e.MMC dają producentom urządzeń mobilnych i komercyjnych możliwość wprowadzania innowacji. Produkty iNAND oferują niezawodność, wytrzymałość i skalowalność dla różnych zastosowań.
Bogate portfolio produktów pamięci masowej flash dla urządzeń mobilnych i komercyjnych
Pamięci iNAND CL EM132, CL EM122 i MC EM141 e.MMC dają producentom urządzeń mobilnych i komercyjnych możliwość wprowadzania innowacji. Produkty iNAND oferują niezawodność, wytrzymałość i skalowalność dla różnych zastosowań.
Bogate portfolio produktów pamięci masowej flash dla urządzeń mobilnych i komercyjnych
Pamięci iNAND CL EM132, CL EM122 i MC EM141 e.MMC dają producentom urządzeń mobilnych i komercyjnych możliwość wprowadzania innowacji. Produkty iNAND oferują niezawodność, wytrzymałość i skalowalność dla różnych zastosowań.
Bogate portfolio produktów pamięci masowej flash dla urządzeń mobilnych i komercyjnych
Pamięci iNAND CL EM132, CL EM122 i MC EM141 e.MMC dają producentom urządzeń mobilnych i komercyjnych możliwość wprowadzania innowacji. Produkty iNAND oferują niezawodność, wytrzymałość i skalowalność dla różnych zastosowań.
Bogate portfolio produktów pamięci masowej flash dla urządzeń mobilnych i komercyjnych
Pamięci iNAND CL EM132, CL EM122 i MC EM141 e.MMC dają producentom urządzeń mobilnych i komercyjnych możliwość wprowadzania innowacji. Produkty iNAND oferują niezawodność, wytrzymałość i skalowalność dla różnych zastosowań.
Najważniejsze cechy
● Pamięć e.MMC 5.1 HS400
● Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
● Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Zastosowania i obciążenie
● Smartfony
● Tablety
● Rozszerzona rzeczywistość (AR)
● Wirtualna rzeczywistość (VR)
● Sztuczna inteligencja.
● Nadzór i telewizja przemysłowa
● Drony
● Bramki Internetu rzeczy
● Automatyka zakładu
● Sieci
Najważniejsze cechy
● Pamięć e.MMC 5.1 HS400
● Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
● Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Zastosowania i obciążenie
● Smartfony
● Tablety
● Rozszerzona rzeczywistość (AR)
● Wirtualna rzeczywistość (VR)
● Sztuczna inteligencja.
● Nadzór i telewizja przemysłowa
● Drony
● Bramki Internetu rzeczy
● Automatyka zakładu
● Sieci
Najważniejsze cechy
● Pamięć e.MMC 5.1 HS400
● Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
● Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Zastosowania i obciążenie
● Smartfony
● Tablety
● Rozszerzona rzeczywistość (AR)
● Wirtualna rzeczywistość (VR)
● Sztuczna inteligencja.
● Nadzór i telewizja przemysłowa
● Drony
● Bramki Internetu rzeczy
● Automatyka zakładu
● Sieci
Najważniejsze cechy
● Pamięć e.MMC 5.1 HS400
● Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
● Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Zastosowania i obciążenie
● Smartfony
● Tablety
● Rozszerzona rzeczywistość (AR)
● Wirtualna rzeczywistość (VR)
● Sztuczna inteligencja.
● Nadzór i telewizja przemysłowa
● Drony
● Bramki Internetu rzeczy
● Automatyka zakładu
● Sieci
Najważniejsze cechy
● Pamięć e.MMC 5.1 HS400
● Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
● Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Zastosowania i obciążenie
● Smartfony
● Tablety
● Rozszerzona rzeczywistość (AR)
● Wirtualna rzeczywistość (VR)
● Sztuczna inteligencja.
● Nadzór i telewizja przemysłowa
● Drony
● Bramki Internetu rzeczy
● Automatyka zakładu
● Sieci
Najważniejsze cechy
● Pamięć e.MMC 5.1 HS400
● Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
● Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Zastosowania i obciążenie
● Smartfony
● Tablety
● Rozszerzona rzeczywistość (AR)
● Wirtualna rzeczywistość (VR)
● Sztuczna inteligencja.
● Nadzór i telewizja przemysłowa
● Drony
● Bramki Internetu rzeczy
● Automatyka zakładu
● Sieci
Najważniejsze cechy
● Pamięć e.MMC 5.1 HS400
● Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
● Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Zastosowania i obciążenie
● Smartfony
● Tablety
● Rozszerzona rzeczywistość (AR)
● Wirtualna rzeczywistość (VR)
● Sztuczna inteligencja.
● Nadzór i telewizja przemysłowa
● Drony
● Bramki Internetu rzeczy
● Automatyka zakładu
● Sieci
Najważniejsze cechy
● Pamięć e.MMC 5.1 HS400
● Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
● Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Zastosowania i obciążenie
● Smartfony
● Tablety
● Rozszerzona rzeczywistość (AR)
● Wirtualna rzeczywistość (VR)
● Sztuczna inteligencja.
● Nadzór i telewizja przemysłowa
● Drony
● Bramki Internetu rzeczy
● Automatyka zakładu
● Sieci
Najważniejsze cechy
● Pamięć e.MMC 5.1 HS400
● Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
● Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Zastosowania i obciążenie
● Smartfony
● Tablety
● Rozszerzona rzeczywistość (AR)
● Wirtualna rzeczywistość (VR)
● Sztuczna inteligencja.
● Nadzór i telewizja przemysłowa
● Drony
● Bramki Internetu rzeczy
● Automatyka zakładu
● Sieci
Dane techniczne
- Pamięć e.MMC 5.1 HS400
- Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
- Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Dane techniczne
- Pamięć e.MMC 5.1 HS400
- Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
- Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Dane techniczne
- Pamięć e.MMC 5.1 HS400
- Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
- Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Dane techniczne
- Pamięć e.MMC 5.1 HS400
- Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
- Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Dane techniczne
- Pamięć e.MMC 5.1 HS400
- Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
- Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Dane techniczne
- Pamięć e.MMC 5.1 HS400
- Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
- Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Dane techniczne
- Pamięć e.MMC 5.1 HS400
- Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
- Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Dane techniczne
- Pamięć e.MMC 5.1 HS400
- Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
- Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Dane techniczne
- Pamięć e.MMC 5.1 HS400
- Pamięć iNAND MC EM141 EFD: Zaprojektowana z wykorzystaniem 96-warstwowej technologii 3D NAND z SmartSLC
- Pamięć iNAND CL EM132 i CL EM122 EFD: Klasa komercyjna, wysoka integralność danych z pamięcią masową flash eMLC
Zasoby pomocy technicznej
Więcej dokumentów znajduje się w naszej Bibliotece zasobów:
Informacje
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Do prędkości deklarowanej. Wartości pochodzą z wewnętrznych testów; wydajność może różnić się zależnie od pojemności dysku, hosta, systemu operacyjnego i wykorzystania.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Do prędkości deklarowanej. Wartości pochodzą z wewnętrznych testów; wydajność może różnić się zależnie od pojemności dysku, hosta, systemu operacyjnego i wykorzystania.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Do prędkości deklarowanej. Wartości pochodzą z wewnętrznych testów; wydajność może różnić się zależnie od pojemności dysku, hosta, systemu operacyjnego i wykorzystania.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Do prędkości deklarowanej. Wartości pochodzą z wewnętrznych testów; wydajność może różnić się zależnie od pojemności dysku, hosta, systemu operacyjnego i wykorzystania.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Do prędkości deklarowanej. Wartości pochodzą z wewnętrznych testów; wydajność może różnić się zależnie od pojemności dysku, hosta, systemu operacyjnego i wykorzystania.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Do prędkości deklarowanej. Wartości pochodzą z wewnętrznych testów; wydajność może różnić się zależnie od pojemności dysku, hosta, systemu operacyjnego i wykorzystania.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Do prędkości deklarowanej. Wartości pochodzą z wewnętrznych testów; wydajność może różnić się zależnie od pojemności dysku, hosta, systemu operacyjnego i wykorzystania.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Do prędkości deklarowanej. Wartości pochodzą z wewnętrznych testów; wydajność może różnić się zależnie od pojemności dysku, hosta, systemu operacyjnego i wykorzystania.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Do prędkości deklarowanej. Wartości pochodzą z wewnętrznych testów; wydajność może różnić się zależnie od pojemności dysku, hosta, systemu operacyjnego i wykorzystania.