Wspieranie innowacji w branży Internetu rzeczy i przemysłowej
Sieci 5G umożliwiają ultraszybkie prędkości, niewielkie opóźnienie i wysoką pojemność sieci, przekształcając nie tylko smartfony, ale również miliardy połączonych ze sobą urządzeń w Internecie rzeczy (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 i EU311 to nasze najbardziej zaawansowane rozwiązania UFS powstałe w oparciu o najnowszą technologię 3D NAND.
- iNAND MC EU551 to lider technologiczny dzięki interfejsowi UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD oferującemu mobilność.
- iNAND MC EU511 jest gotowy na urządzenia 5G dzięki turbodoładowanym prędkościom zapisu sekwencyjnego i wydajności iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 oferuje niezrównaną prędkość zapisu i odczytu dzięki SmartSLC i UFS 2.1.
Te produkty oferują błyskawiczne i płynne działanie w większości flagowych modeli urządzeń mobilnych i tabletów.
Wspieranie innowacji w branży Internetu rzeczy i przemysłowej
Sieci 5G umożliwiają ultraszybkie prędkości, niewielkie opóźnienie i wysoką pojemność sieci, przekształcając nie tylko smartfony, ale również miliardy połączonych ze sobą urządzeń w Internecie rzeczy (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 i EU311 to nasze najbardziej zaawansowane rozwiązania UFS powstałe w oparciu o najnowszą technologię 3D NAND.
- iNAND MC EU551 to lider technologiczny dzięki interfejsowi UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD oferującemu mobilność.
- iNAND MC EU511 jest gotowy na urządzenia 5G dzięki turbodoładowanym prędkościom zapisu sekwencyjnego i wydajności iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 oferuje niezrównaną prędkość zapisu i odczytu dzięki SmartSLC i UFS 2.1.
Te produkty oferują błyskawiczne i płynne działanie w większości flagowych modeli urządzeń mobilnych i tabletów.
Wspieranie innowacji w branży Internetu rzeczy i przemysłowej
Sieci 5G umożliwiają ultraszybkie prędkości, niewielkie opóźnienie i wysoką pojemność sieci, przekształcając nie tylko smartfony, ale również miliardy połączonych ze sobą urządzeń w Internecie rzeczy (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 i EU311 to nasze najbardziej zaawansowane rozwiązania UFS powstałe w oparciu o najnowszą technologię 3D NAND.
- iNAND MC EU551 to lider technologiczny dzięki interfejsowi UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD oferującemu mobilność.
- iNAND MC EU511 jest gotowy na urządzenia 5G dzięki turbodoładowanym prędkościom zapisu sekwencyjnego i wydajności iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 oferuje niezrównaną prędkość zapisu i odczytu dzięki SmartSLC i UFS 2.1.
Te produkty oferują błyskawiczne i płynne działanie w większości flagowych modeli urządzeń mobilnych i tabletów.
Wspieranie innowacji w branży Internetu rzeczy i przemysłowej
Sieci 5G umożliwiają ultraszybkie prędkości, niewielkie opóźnienie i wysoką pojemność sieci, przekształcając nie tylko smartfony, ale również miliardy połączonych ze sobą urządzeń w Internecie rzeczy (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 i EU311 to nasze najbardziej zaawansowane rozwiązania UFS powstałe w oparciu o najnowszą technologię 3D NAND.
- iNAND MC EU551 to lider technologiczny dzięki interfejsowi UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD oferującemu mobilność.
- iNAND MC EU511 jest gotowy na urządzenia 5G dzięki turbodoładowanym prędkościom zapisu sekwencyjnego i wydajności iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 oferuje niezrównaną prędkość zapisu i odczytu dzięki SmartSLC i UFS 2.1.
Te produkty oferują błyskawiczne i płynne działanie w większości flagowych modeli urządzeń mobilnych i tabletów.
Wspieranie innowacji w branży Internetu rzeczy i przemysłowej
Sieci 5G umożliwiają ultraszybkie prędkości, niewielkie opóźnienie i wysoką pojemność sieci, przekształcając nie tylko smartfony, ale również miliardy połączonych ze sobą urządzeń w Internecie rzeczy (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 i EU311 to nasze najbardziej zaawansowane rozwiązania UFS powstałe w oparciu o najnowszą technologię 3D NAND.
- iNAND MC EU551 to lider technologiczny dzięki interfejsowi UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD oferującemu mobilność.
- iNAND MC EU511 jest gotowy na urządzenia 5G dzięki turbodoładowanym prędkościom zapisu sekwencyjnego i wydajności iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 oferuje niezrównaną prędkość zapisu i odczytu dzięki SmartSLC i UFS 2.1.
Te produkty oferują błyskawiczne i płynne działanie w większości flagowych modeli urządzeń mobilnych i tabletów.
Wspieranie innowacji w branży Internetu rzeczy i przemysłowej
Sieci 5G umożliwiają ultraszybkie prędkości, niewielkie opóźnienie i wysoką pojemność sieci, przekształcając nie tylko smartfony, ale również miliardy połączonych ze sobą urządzeń w Internecie rzeczy (IoT).
iNAND MC EU551, EU511 i EU311 to nasze najbardziej zaawansowane rozwiązania UFS powstałe w oparciu o najnowszą technologię 3D NAND.
- iNAND MC EU551 to lider technologiczny dzięki interfejsowi UFS 3.1 Gear 4/2-Lane (Universal Flash Storage) EFD oferującemu mobilność.
- iNAND MC EU511 jest gotowy na urządzenia 5G dzięki turbodoładowanym prędkościom zapisu sekwencyjnego i wydajności iNAND SmartSLC Gen 6.
- iNAND MC EU311 oferuje niezrównaną prędkość zapisu i odczytu dzięki SmartSLC i UFS 2.1.
Te produkty oferują błyskawiczne i płynne działanie w większości flagowych modeli urządzeń mobilnych i tabletów.
Najważniejsze cechy
● Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
● Pojemności1: (16 – 256 GB)
● Wsparcie interfejsu UFSv2.1
● Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
● Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
● Zaawansowany raport stanu urządzenia
Zastosowania i obciążenie
● Bramki Internetu rzeczy (IoT)
● S.O.M
● Transport
● Komputery przemysłowe
● Komputery wbudowane
● Automatyka zakładu
● Medycyna
● Oznakowanie elektroniczne
● Punkty sprzedaży (POS)/Mobilne punkty sprzedaży (mPOS)
● Sieci
● Drony
● Nadzór i telewizja przemysłowa
Najważniejsze cechy
● Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
● Pojemności1: (16 – 256 GB)
● Wsparcie interfejsu UFSv2.1
● Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
● Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
● Zaawansowany raport stanu urządzenia
Zastosowania i obciążenie
● Bramki Internetu rzeczy (IoT)
● S.O.M
● Transport
● Komputery przemysłowe
● Komputery wbudowane
● Automatyka zakładu
● Medycyna
● Oznakowanie elektroniczne
● Punkty sprzedaży (POS)/Mobilne punkty sprzedaży (mPOS)
● Sieci
● Drony
● Nadzór i telewizja przemysłowa
Najważniejsze cechy
● Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
● Pojemności1: (16 – 256 GB)
● Wsparcie interfejsu UFSv2.1
● Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
● Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
● Zaawansowany raport stanu urządzenia
Zastosowania i obciążenie
● Bramki Internetu rzeczy (IoT)
● S.O.M
● Transport
● Komputery przemysłowe
● Komputery wbudowane
● Automatyka zakładu
● Medycyna
● Oznakowanie elektroniczne
● Punkty sprzedaży (POS)/Mobilne punkty sprzedaży (mPOS)
● Sieci
● Drony
● Nadzór i telewizja przemysłowa
Najważniejsze cechy
● Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
● Pojemności1: (16 – 256 GB)
● Wsparcie interfejsu UFSv2.1
● Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
● Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
● Zaawansowany raport stanu urządzenia
Zastosowania i obciążenie
● Bramki Internetu rzeczy (IoT)
● S.O.M
● Transport
● Komputery przemysłowe
● Komputery wbudowane
● Automatyka zakładu
● Medycyna
● Oznakowanie elektroniczne
● Punkty sprzedaży (POS)/Mobilne punkty sprzedaży (mPOS)
● Sieci
● Drony
● Nadzór i telewizja przemysłowa
Najważniejsze cechy
● Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
● Pojemności1: (16 – 256 GB)
● Wsparcie interfejsu UFSv2.1
● Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
● Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
● Zaawansowany raport stanu urządzenia
Zastosowania i obciążenie
● Bramki Internetu rzeczy (IoT)
● S.O.M
● Transport
● Komputery przemysłowe
● Komputery wbudowane
● Automatyka zakładu
● Medycyna
● Oznakowanie elektroniczne
● Punkty sprzedaży (POS)/Mobilne punkty sprzedaży (mPOS)
● Sieci
● Drony
● Nadzór i telewizja przemysłowa
Najważniejsze cechy
● Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
● Pojemności1: (16 – 256 GB)
● Wsparcie interfejsu UFSv2.1
● Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
● Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
● Zaawansowany raport stanu urządzenia
Zastosowania i obciążenie
● Bramki Internetu rzeczy (IoT)
● S.O.M
● Transport
● Komputery przemysłowe
● Komputery wbudowane
● Automatyka zakładu
● Medycyna
● Oznakowanie elektroniczne
● Punkty sprzedaży (POS)/Mobilne punkty sprzedaży (mPOS)
● Sieci
● Drony
● Nadzór i telewizja przemysłowa
Dane techniczne
- Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
- Pojemnośći: (16 – 256 GB)
- Wsparcie interfejsu UFSv2.1
- Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
- Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
- Zaawansowany raport stanu urządzenia
Dane techniczne
- Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
- Pojemnośći: (16 – 256 GB)
- Wsparcie interfejsu UFSv2.1
- Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
- Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
- Zaawansowany raport stanu urządzenia
Dane techniczne
- Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
- Pojemnośći: (16 – 256 GB)
- Wsparcie interfejsu UFSv2.1
- Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
- Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
- Zaawansowany raport stanu urządzenia
Dane techniczne
- Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
- Pojemnośći: (16 – 256 GB)
- Wsparcie interfejsu UFSv2.1
- Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
- Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
- Zaawansowany raport stanu urządzenia
Dane techniczne
- Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
- Pojemnośći: (16 – 256 GB)
- Wsparcie interfejsu UFSv2.1
- Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
- Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
- Zaawansowany raport stanu urządzenia
Dane techniczne
- Rozwiązania dla magazynowania danych klasy przemysłowej
- Pojemnośći: (16 – 256 GB)
- Wsparcie interfejsu UFSv2.1
- Szeroki zakres temperatur pracy (-40oC do +85oC oraz -25oC do +85oC)
- Wysoka niezawodność: Technologia 3D NAND (iNAND EM132), rozszerzone MLC i zaawansowana korekta błędów
- Zaawansowany raport stanu urządzenia
Oceny i recenzje
Zasoby pomocy technicznej
Więcej dokumentów znajduje się w naszej Bibliotece zasobów:
Informacje
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.
- Przy określaniu pojemności pamięci masowej przyjmuje się: 1 GB = jeden miliard bajtów oraz 1 TB = jeden bilion bajtów. Rzeczywista pojemność pozostająca do dyspozycji użytkownika może być mniejsza i zależy od środowiska systemu operacyjnego.